창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD5803NT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVD5803N | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound Update 25/Feb/2015 Mold Compound Revision 24/Apr/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVD5803NT4G | |
관련 링크 | NVD580, NVD5803NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MAL203868222E3 | 2200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 85°C | MAL203868222E3.pdf | |
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![]() | CDCE925 | CDCE925 TI TSSOP16 | CDCE925.pdf | |
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![]() | 0603-8P4R-10R | 0603-8P4R-10R ROHM SMD or Through Hole | 0603-8P4R-10R.pdf | |
![]() | ID1209SA | ID1209SA XP SIP7 | ID1209SA.pdf | |
![]() | CLC501A8L | CLC501A8L NS BGA | CLC501A8L.pdf | |
![]() | NC12M00333HBA | NC12M00333HBA AVX SMD | NC12M00333HBA.pdf | |
![]() | SG-615PCVC100.00M | SG-615PCVC100.00M EPSON SMD or Through Hole | SG-615PCVC100.00M.pdf |