ON Semiconductor NVD2955T4G

NVD2955T4G
제조업체 부품 번호
NVD2955T4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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내부 부품 번호EIS-NVD2955T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTD2955
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs180m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds750pF @ 25V
전력 - 최대55W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
다른 이름NVD2955T4G-ND
NVD2955T4GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVD2955T4G
관련 링크NVD295, NVD2955T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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