창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVD14N03RT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTD14N03R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.8nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 115pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1.04W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVD14N03RT4G | |
| 관련 링크 | NVD14N0, NVD14N03RT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1885C1H6R1DA16D | 6.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H6R1DA16D.pdf | |
![]() | VJ0603D300JLPAC | 30pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D300JLPAC.pdf | |
![]() | 93J150E | RES 150 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J150E.pdf | |
![]() | NFE31PT152Z1E9L(NFM60R20T152T1M000) | NFE31PT152Z1E9L(NFM60R20T152T1M000) MuRata 3216 | NFE31PT152Z1E9L(NFM60R20T152T1M000).pdf | |
![]() | 08142XU | 08142XU X BGA | 08142XU.pdf | |
![]() | F329PU02A | F329PU02A ORIGINAL CCD | F329PU02A.pdf | |
![]() | MX29LV160ATTC-7O | MX29LV160ATTC-7O MX TSSOP | MX29LV160ATTC-7O.pdf | |
![]() | XC3164PQ160-2C | XC3164PQ160-2C XILINX SMD or Through Hole | XC3164PQ160-2C.pdf | |
![]() | 1N5851 | 1N5851 N DIP | 1N5851.pdf | |
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![]() | ASP-105273-01 | ASP-105273-01 N/A SMD or Through Hole | ASP-105273-01.pdf | |
![]() | GE1046 | GE1046 GTM TO-220 | GE1046.pdf |