창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB6410ANT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB/NTP/NVB6410AN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 76A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB6410ANT4G | |
| 관련 링크 | NVB6410, NVB6410ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-147.4-20-28AX-TR | 14.7456MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-147.4-20-28AX-TR.pdf | |
![]() | 17-21/S2C-AP1Q2B/3T | 17-21/S2C-AP1Q2B/3T (EVERLIGHT) SMD or Through Hole | 17-21/S2C-AP1Q2B/3T.pdf | |
![]() | HU2D182MCZS7WPEC | HU2D182MCZS7WPEC HITACHI SMD or Through Hole | HU2D182MCZS7WPEC.pdf | |
![]() | 27CX642-45NS | 27CX642-45NS ICT CDIP24 | 27CX642-45NS.pdf | |
![]() | XZBBA53W-3 | XZBBA53W-3 SUNLED SMD | XZBBA53W-3.pdf | |
![]() | LD39150XX33 | LD39150XX33 ST PPACK 5 LEADS TO-25 | LD39150XX33.pdf | |
![]() | GBJ1510(KBJ1510) | GBJ1510(KBJ1510) ORIGINAL SIP4 | GBJ1510(KBJ1510).pdf | |
![]() | GRM32DR61E106M | GRM32DR61E106M MURATA SMD | GRM32DR61E106M.pdf | |
![]() | DS36C279 | DS36C279 NS SOP8 | DS36C279.pdf | |
![]() | CHTA30-600 | CHTA30-600 CSEMI SMD or Through Hole | CHTA30-600.pdf | |
![]() | W52836655 | W52836655 WINBOD NA | W52836655.pdf | |
![]() | TC55V1001ATR | TC55V1001ATR TOSHIBA TSSOP | TC55V1001ATR.pdf |