창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVA4153NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Nxx4153N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 915mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.82nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVA4153NT1G | |
관련 링크 | NVA415, NVA4153NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
50JGV100M8X10.5 | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 50JGV100M8X10.5.pdf | ||
ATS08ASM-1 | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS08ASM-1.pdf | ||
FRM-25JR-52-150R | RES 150 OHM 1/4W 5% AXIAL | FRM-25JR-52-150R.pdf | ||
DLP1NDN350HL4 | DLP1NDN350HL4 MURATA SMD | DLP1NDN350HL4.pdf | ||
MNR02M0APJ470 | MNR02M0APJ470 ROHM SMD | MNR02M0APJ470.pdf | ||
XC18V256-10VQ44C | XC18V256-10VQ44C XILINX SMD or Through Hole | XC18V256-10VQ44C.pdf | ||
A7956-373 | A7956-373 TOHRITSU SMD or Through Hole | A7956-373.pdf | ||
MR27V12800J-157TN03A | MR27V12800J-157TN03A OKI RTSSOP-48 | MR27V12800J-157TN03A.pdf | ||
BAT46SWFILM | BAT46SWFILM ST SOT323 | BAT46SWFILM.pdf | ||
L358P | L358P TI DIP | L358P.pdf | ||
XC3042A-5VQ100 | XC3042A-5VQ100 XILINX QFP | XC3042A-5VQ100.pdf |