창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVA4153NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Nxx4153N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 915mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.82nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVA4153NT1G | |
관련 링크 | NVA415, NVA4153NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
SDS30U60S | SDS30U60S FSC SMD or Through Hole | SDS30U60S.pdf | ||
2SC2882-Y(TE12LCF9 | 2SC2882-Y(TE12LCF9 Toshiba SOP DIP | 2SC2882-Y(TE12LCF9.pdf | ||
12MHZ(TXC) | 12MHZ(TXC) TXC 5X7-4P | 12MHZ(TXC).pdf | ||
SI4359DY-T1-E3 | SI4359DY-T1-E3 VISHAY SMD or Through Hole | SI4359DY-T1-E3.pdf | ||
AT83C220K-105M | AT83C220K-105M ATMEL SMD or Through Hole | AT83C220K-105M.pdf | ||
477 16V E | 477 16V E avetron 2011 | 477 16V E.pdf | ||
BL-OBCI | BL-OBCI ORIGINAL LCC68 | BL-OBCI.pdf | ||
CEPZ44 | CEPZ44 ORIGINAL SOPDIP | CEPZ44.pdf | ||
MS03 | MS03 APEX SMD or Through Hole | MS03.pdf | ||
GLT44016P-40J4 | GLT44016P-40J4 GLT SOJ | GLT44016P-40J4.pdf | ||
D23C2001EGW-J18 | D23C2001EGW-J18 NEC QFP | D23C2001EGW-J18.pdf | ||
LP38692SD-5.0/NOPB | LP38692SD-5.0/NOPB NS SOPDIP | LP38692SD-5.0/NOPB.pdf |