창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NUP4106DR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NUP4106 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 4 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 3.3V | |
전압 - 항복(최소) | 5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 15V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 25A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 500W | |
전력선 보호 | 있음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 8pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NUP4106DR2G | |
관련 링크 | NUP410, NUP4106DR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CBR04C399A1GAC | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C399A1GAC.pdf | |
![]() | RCL040678K7FKEA | RES SMD 78.7K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL040678K7FKEA.pdf | |
![]() | D01608C-223MLC | D01608C-223MLC COILCRAFT SMD | D01608C-223MLC.pdf | |
![]() | 503548-1820 | 503548-1820 molex SMD or Through Hole | 503548-1820.pdf | |
![]() | USBN9602-2BM | USBN9602-2BM NS SMD or Through Hole | USBN9602-2BM.pdf | |
![]() | PSD311-B-70 | PSD311-B-70 WSI SMD or Through Hole | PSD311-B-70.pdf | |
![]() | LTC1443CN | LTC1443CN LT DIP | LTC1443CN.pdf | |
![]() | K4F151612C-TC60 | K4F151612C-TC60 SAMSUNG TSOP-44 | K4F151612C-TC60.pdf | |
![]() | 773-114/K194-4045 | 773-114/K194-4045 WGO SMD or Through Hole | 773-114/K194-4045.pdf | |
![]() | GRM2161X1H221JZ01D | GRM2161X1H221JZ01D MURATA SMD | GRM2161X1H221JZ01D.pdf | |
![]() | H4P141X | H4P141X BOTHHAND DIP50 | H4P141X.pdf | |
![]() | MAX3735ETG+ | MAX3735ETG+ MAXIM QFN | MAX3735ETG+.pdf |