창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NUP2301MW6T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NUP2301MW6T1 | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
카탈로그 페이지 | 1124 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 스티어링(레일 투 레일) | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 2 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 70V | |
전압 - 항복(최소) | 70V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | 1.6pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NUP2301MW6T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NUP2301MW6T1G | |
관련 링크 | NUP2301, NUP2301MW6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 1N4005GPP BK | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | 1N4005GPP BK.pdf | |
![]() | MLG0603P9N1HTD25 | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 900 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P9N1HTD25.pdf | |
![]() | CMF55115K00DEBF | RES 115K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55115K00DEBF.pdf | |
![]() | C25616AS25TLITR | C25616AS25TLITR ISS SMD or Through Hole | C25616AS25TLITR.pdf | |
![]() | MMSZ30LT1 | MMSZ30LT1 ON 30V | MMSZ30LT1.pdf | |
![]() | TX-183S | TX-183S SONY TO-3 | TX-183S.pdf | |
![]() | 1N4148--TA--CJ | 1N4148--TA--CJ CJ DO-35 | 1N4148--TA--CJ.pdf | |
![]() | SCLT7164L35DB | SCLT7164L35DB IDT DIP28 | SCLT7164L35DB.pdf | |
![]() | 84VD21084EM-70 | 84VD21084EM-70 FUJITSU BGA | 84VD21084EM-70.pdf | |
![]() | GRM21BR60J226M/0805-226M | GRM21BR60J226M/0805-226M ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM21BR60J226M/0805-226M.pdf | |
![]() | 12*12*10 | 12*12*10 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12*12*10.pdf | |
![]() | 35ZLH100M6.3X11 | 35ZLH100M6.3X11 Rubycon DIP | 35ZLH100M6.3X11.pdf |