창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4H07NTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTTFS4H07N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Ta), 66A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 771pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 2.64W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTTFS4H07NTWG | |
관련 링크 | NTTFS4H, NTTFS4H07NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CX5032GB20000H0PESZZ | 20MHz ±50ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX5032GB20000H0PESZZ.pdf | |
![]() | DSEI2X31-10B | DIODE MODULE 1KV 30A SOT227B | DSEI2X31-10B.pdf | |
![]() | XPEHEW-L1-R250-00DE5 | LED Lighting XLamp® XP-E HEW White, Neutral 4000K 3V 350mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPEHEW-L1-R250-00DE5.pdf | |
![]() | P51-300-S-M-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-S-M-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | CR6611-100 | TRANSDCR FREQ AC 0-5VDC OUT | CR6611-100.pdf | |
![]() | 10051922-0810ELF | 10051922-0810ELF FCI() SMD or Through Hole | 10051922-0810ELF.pdf | |
![]() | GMS41004P1PC21 | GMS41004P1PC21 LGS DIP | GMS41004P1PC21.pdf | |
![]() | GPS2520-4R7M | GPS2520-4R7M JAT 4532-4R7P | GPS2520-4R7M.pdf | |
![]() | K4B1G1646D-HCF7 | K4B1G1646D-HCF7 SAMSUNG BGA | K4B1G1646D-HCF7.pdf | |
![]() | K9F5608U0D | K9F5608U0D SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F5608U0D.pdf | |
![]() | 13003/ | 13003/ CJ SMD or Through Hole | 13003/.pdf | |
![]() | MC317G | MC317G MOT CAN | MC317G.pdf |