창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C25NTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4C25N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta), 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 690mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4C25NTWG | |
| 관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C25NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32563J3684K | 0.68µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32563J3684K.pdf | |
![]() | 416F27113CST | 27.12MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27113CST.pdf | |
![]() | 1210-220K | 22nH Unshielded Inductor 779mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-220K.pdf | |
![]() | RCP2512W1K00GWB | RES SMD 1K OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W1K00GWB.pdf | |
![]() | CP0020100R0KB14 | RES 100 OHM 20W 10% AXIAL | CP0020100R0KB14.pdf | |
![]() | LS0601-C4LSA | LS0601-C4LSA COMPLIANT SMD or Through Hole | LS0601-C4LSA.pdf | |
![]() | CP6604BM | CP6604BM CY SOP | CP6604BM.pdf | |
![]() | 1206CS-751XFLC | 1206CS-751XFLC COILCRAFTINC SMD or Through Hole | 1206CS-751XFLC.pdf | |
![]() | NQ80332 | NQ80332 MOT BGA | NQ80332.pdf | |
![]() | imi5402 | imi5402 NIKO-SE SMD or Through Hole | imi5402.pdf | |
![]() | H1AA012T-12V | H1AA012T-12V ORIGINAL DIP | H1AA012T-12V.pdf | |
![]() | M29F200B-90NI | M29F200B-90NI ST TSOP | M29F200B-90NI.pdf |