창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C10NTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTTFS4C10N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta), 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 993pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 790mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTTFS4C10NTAG | |
관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C10NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | ATS123SM-1E | 12.296MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS123SM-1E.pdf | |
![]() | SIT3809AI-2-33EH | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | SIT3809AI-2-33EH.pdf | |
![]() | SDR1307-470KL | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 2.7A 82 mOhm Max Nonstandard | SDR1307-470KL.pdf | |
![]() | MHQ0402P0N4ST000 | 0.4nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P0N4ST000.pdf | |
![]() | 26DF081A | 26DF081A ATMEL SOP8 | 26DF081A.pdf | |
![]() | L0307-22UH | L0307-22UH ORIGINAL SMD or Through Hole | L0307-22UH.pdf | |
![]() | BL121-26R-TA3G | BL121-26R-TA3G C SMD or Through Hole | BL121-26R-TA3G.pdf | |
![]() | SI7336ADP-T | SI7336ADP-T VISHAY SMD or Through Hole | SI7336ADP-T.pdf | |
![]() | 1N5383BRL | 1N5383BRL ON CASE17-02 | 1N5383BRL.pdf | |
![]() | NBLP-200+ | NBLP-200+ MINI SMD or Through Hole | NBLP-200+.pdf |