창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C05NTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4C05N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1988pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 820mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4C05NTWG | |
| 관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C05NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | E36D750HPN223TEB7M | 22000µF 75V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D750HPN223TEB7M.pdf | |
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![]() | MR055A271JAATR1 | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR055A271JAATR1.pdf | |
![]() | RMCP2010FT3M00 | RES SMD 3M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT3M00.pdf | |
![]() | VSC7983YE | VSC7983YE N/A PLCC | VSC7983YE.pdf | |
![]() | UPD78F0828B | UPD78F0828B NEC QFP | UPD78F0828B.pdf | |
![]() | NCP1351DPG | NCP1351DPG ONS Call | NCP1351DPG.pdf | |
![]() | W9825G6PH-6 | W9825G6PH-6 WINBOND TSOP | W9825G6PH-6.pdf | |
![]() | H11AD6X5195W | H11AD6X5195W Fairchi SMD or Through Hole | H11AD6X5195W.pdf | |
![]() | 583864-5 | 583864-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 583864-5.pdf | |
![]() | TCSCS1C475MADR | TCSCS1C475MADR SANSUNG A | TCSCS1C475MADR.pdf | |
![]() | A1825 | A1825 ORIGINAL SMD or Through Hole | A1825.pdf |