창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C05NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4C05N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1988pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 820mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTTFS4C05NTAG-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4C05NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C05NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P1171.273NLT | 27µH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 51 mOhm Max Nonstandard | P1171.273NLT.pdf | |
![]() | RG1005V-1021-W-T5 | RES SMD 1.02K OHM 1/16W 0402 | RG1005V-1021-W-T5.pdf | |
![]() | 47023-0001 | 47023-0001 MOLEX SMD or Through Hole | 47023-0001.pdf | |
![]() | CXD5052GGT | CXD5052GGT SONY BGA | CXD5052GGT.pdf | |
![]() | 450VXWR220M30X50 | 450VXWR220M30X50 RUBYCON DIP | 450VXWR220M30X50.pdf | |
![]() | EN2210 | EN2210 ALPHA QFP | EN2210.pdf | |
![]() | HL23381 | HL23381 FSC CAN8 | HL23381.pdf | |
![]() | CNF10F104Z-TM | CNF10F104Z-TM MARUWA SMD or Through Hole | CNF10F104Z-TM.pdf | |
![]() | TCO-630A | TCO-630A Toyocom SMD or Through Hole | TCO-630A.pdf | |
![]() | MR947259.04G | MR947259.04G ORIGINAL SMD or Through Hole | MR947259.04G.pdf | |
![]() | IRF630_ACP001 | IRF630_ACP001 FSC SMD or Through Hole | IRF630_ACP001.pdf | |
![]() | ECJ2VF1C105Z | ECJ2VF1C105Z PANASONICSHUNHING SMTDIP | ECJ2VF1C105Z.pdf |