창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4932NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4932N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3111pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTTFS4932NTAG-ND NTTFS4932NTAGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4932NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS49, NTTFS4932NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0TLS040.TXLS | FUSE CRTRDGE 40A 170VDC RAD BEND | 0TLS040.TXLS.pdf | |
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![]() | M30622SAFP#D5 | M30622SAFP#D5 ORIGINAL QFP | M30622SAFP#D5.pdf | |
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![]() | MA27728 | MA27728 PANASONIC SMD | MA27728.pdf | |
![]() | 0402 30K J | 0402 30K J TAIYO SMD or Through Hole | 0402 30K J.pdf | |
![]() | AD1582CRTZ-REE TEL:82766440 | AD1582CRTZ-REE TEL:82766440 AD SMD or Through Hole | AD1582CRTZ-REE TEL:82766440.pdf | |
![]() | 21RC40 | 21RC40 IR MODULE | 21RC40.pdf | |
![]() | DATE3202 | DATE3202 PHIL SMD or Through Hole | DATE3202.pdf |