창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4930NTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTTFS4930 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta), 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 476pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 790mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTTFS4930NTWG | |
관련 링크 | NTTFS49, NTTFS4930NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | URY2E220MHD | 22µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | URY2E220MHD.pdf | |
![]() | IHLP4040DZER6R8M11 | 6.8µH Shielded Molded Inductor 9A 19.3 mOhm Max Nonstandard | IHLP4040DZER6R8M11.pdf | |
![]() | 8069DCIR | 8069DCIR HAR SMD or Through Hole | 8069DCIR.pdf | |
![]() | SDS5022M-100M-LF | SDS5022M-100M-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDS5022M-100M-LF.pdf | |
![]() | SDA5222-A013 | SDA5222-A013 SIE DIP-52 | SDA5222-A013.pdf | |
![]() | M48T58B=100PC1 | M48T58B=100PC1 STM DIPSMD | M48T58B=100PC1.pdf | |
![]() | XTW10N100EB | XTW10N100EB ORIGINAL TO-3P | XTW10N100EB.pdf | |
![]() | JXD2012 | JXD2012 ORIGINAL SMD or Through Hole | JXD2012.pdf | |
![]() | MLESD12A-0402 | MLESD12A-0402 Micro SMD or Through Hole | MLESD12A-0402.pdf | |
![]() | SRA507 | SRA507 MCC SRA() | SRA507.pdf |