창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS3A08PZTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS3A08PZ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 840mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | NTTFS3A08PZTWG-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS3A08PZTWG | |
| 관련 링크 | NTTFS3A0, NTTFS3A08PZTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A620FA16A | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A620FA16A.pdf | |
![]() | 7A-48.000MAAE-T | 48MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-48.000MAAE-T.pdf | |
![]() | TNPW25123K57BEEY | RES SMD 3.57K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25123K57BEEY.pdf | |
![]() | A8293SESTR | A8293SESTR ALLEGRO QFN-20 | A8293SESTR.pdf | |
![]() | 3223CY | 3223CY CSI SOP-8 | 3223CY.pdf | |
![]() | MX7581LCWI | MX7581LCWI MAXIM SOP | MX7581LCWI.pdf | |
![]() | 630V2.2 (630V2.2uf | 630V2.2 (630V2.2uf ORIGINAL DIP | 630V2.2 (630V2.2uf.pdf | |
![]() | S5L9286F02-TORO | S5L9286F02-TORO SAMSUNG QFP | S5L9286F02-TORO.pdf | |
![]() | 375V-28V-300W | 375V-28V-300W VICOR SMD or Through Hole | 375V-28V-300W.pdf | |
![]() | 292D156X96R3R2T | 292D156X96R3R2T VISHAY SMD or Through Hole | 292D156X96R3R2T.pdf | |
![]() | GC91000MS020 | GC91000MS020 ORIGINAL DIP | GC91000MS020.pdf |