창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR4502PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR4502P | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 26/May/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.95A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR4502PT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR4502PT1G | |
관련 링크 | NTR450, NTR4502PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TAP226K035BRW | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 1.3 Ohm 0.335" Dia (8.50mm) | TAP226K035BRW.pdf | |
![]() | FDD6780A | MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK | FDD6780A.pdf | |
![]() | MLZ2012M1R0HTD25 | 1µH Shielded Multilayer Inductor 800mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M1R0HTD25.pdf | |
![]() | KIA78L05/78L06/78L08/78L09F | KIA78L05/78L06/78L08/78L09F KIA SMD or Through Hole | KIA78L05/78L06/78L08/78L09F.pdf | |
![]() | R6520P/AP | R6520P/AP ROCKWEL DIP | R6520P/AP.pdf | |
![]() | 1GG74219 | 1GG74219 AGILENT SOP-8 | 1GG74219.pdf | |
![]() | AT24C02I2C | AT24C02I2C ATMEL TSSOP8 | AT24C02I2C.pdf | |
![]() | M34203M4-167SP | M34203M4-167SP ORIGINAL DIP | M34203M4-167SP.pdf | |
![]() | JPD1110046PR | JPD1110046PR ORIGINAL SMD or Through Hole | JPD1110046PR.pdf | |
![]() | TDA8771AH/C1/R2 | TDA8771AH/C1/R2 PHILIPS QFP-44 | TDA8771AH/C1/R2.pdf | |
![]() | DG201AKN | DG201AKN HAR DIP | DG201AKN.pdf |