창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR4171PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR4171P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 720pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 480mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR4171PT1G-ND NTR4171PT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR4171PT1G | |
관련 링크 | NTR417, NTR4171PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
032501.2H | FUSE CERAMIC 1.2A 250VAC 3AB 3AG | 032501.2H.pdf | ||
375LB3I1555T | 155.52MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | 375LB3I1555T.pdf | ||
4611X-101-472LF | RES ARRAY 10 RES 4.7K OHM 11SIP | 4611X-101-472LF.pdf | ||
DS10042 | DS10042 DALLAS SOP8 | DS10042.pdf | ||
R2A15216 | R2A15216 RENESAS QFP56 | R2A15216.pdf | ||
M6-D 216D6TABFA12 | M6-D 216D6TABFA12 ATI BGA | M6-D 216D6TABFA12.pdf | ||
MB85RS256PNF-G-JN-ERE1 | MB85RS256PNF-G-JN-ERE1 Fujitsu SOP-8 | MB85RS256PNF-G-JN-ERE1.pdf | ||
ICS180MI-01LFT | ICS180MI-01LFT IDT SMD or Through Hole | ICS180MI-01LFT.pdf | ||
rt2010-4 | rt2010-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | rt2010-4.pdf | ||
JC1V336M0806BVR259 | JC1V336M0806BVR259 SAMWHA SMD or Through Hole | JC1V336M0806BVR259.pdf | ||
SR30B-4 | SR30B-4 MITSUBISHI SMD or Through Hole | SR30B-4.pdf | ||
OV06910-P21A | OV06910-P21A OV CLCC | OV06910-P21A.pdf |