창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR3A30PZT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR3A30PZ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1651pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 480mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR3A30PZT1G-ND NTR3A30PZT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR3A30PZT1G | |
관련 링크 | NTR3A30, NTR3A30PZT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CC1206MRY5V8BB105 | 1µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206MRY5V8BB105.pdf | ||
B32924A2105K | 1µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.433" W (31.50mm x 11.00mm) | B32924A2105K.pdf | ||
L-15W10NGV4E | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 80 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L-15W10NGV4E.pdf | ||
HS200 220R F | RES CHAS MNT 220 OHM 1% 200W | HS200 220R F.pdf | ||
B1592 | B1592 PANASONIC TO-92 | B1592.pdf | ||
AD2702UD/AD2702SD/AD2702JD | AD2702UD/AD2702SD/AD2702JD ORIGINAL SMD or Through Hole | AD2702UD/AD2702SD/AD2702JD.pdf | ||
SMCJ58CA-NL | SMCJ58CA-NL FAIRCHILD DO-214AB | SMCJ58CA-NL.pdf | ||
TC4028BP(N,F) | TC4028BP(N,F) Toshiba DIP-16 | TC4028BP(N,F).pdf | ||
MAZS200 | MAZS200 Panasoni SOD523 | MAZS200.pdf | ||
UDZS30B NOPB | UDZS30B NOPB ROHM UMD2 | UDZS30B NOPB.pdf | ||
IKVU | IKVU ORIGINAL SOT23-3 | IKVU.pdf | ||
59160-011 | 59160-011 HAMLIN SMD or Through Hole | 59160-011.pdf |