ON Semiconductor NTP8G202NG

NTP8G202NG
제조업체 부품 번호
NTP8G202NG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
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내부 부품 번호EIS-NTP8G202NG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTP8G202N
비디오 파일GaN Transistors (Gallium Nitride)
주요제품Compact Power Solutions
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs350m옴 @ 5.5A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.6V @ 500µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds760pF @ 400V
전력 - 최대65W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
다른 이름NTP8G202NGOS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NTP8G202NG
관련 링크NTP8G2, NTP8G202NG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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