창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTP8G202NG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTP8G202N | |
비디오 파일 | GaN Transistors (Gallium Nitride) | |
주요제품 | Compact Power Solutions | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 5.5A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | NTP8G202NGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTP8G202NG | |
관련 링크 | NTP8G2, NTP8G202NG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP385215085JC02W0 | 1500pF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385215085JC02W0.pdf | |
![]() | PEMH9,115 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | PEMH9,115.pdf | |
![]() | P1171.564NLT | 560µH Shielded Wirewound Inductor 630mA 1.06 Ohm Max Nonstandard | P1171.564NLT.pdf | |
![]() | MAN3220A(L) | MAN3220A(L) FAIRCHILD SMD or Through Hole | MAN3220A(L).pdf | |
![]() | KCO-110S/40.000MHZ | KCO-110S/40.000MHZ KOYO DIP-4 | KCO-110S/40.000MHZ.pdf | |
![]() | BH6178 | BH6178 ROHM DIPSOP | BH6178.pdf | |
![]() | 10066016 | 10066016 S DIP-8 | 10066016.pdf | |
![]() | YP501222K070HAND5P | YP501222K070HAND5P WALSIN SMD or Through Hole | YP501222K070HAND5P.pdf | |
![]() | FGV31 | FGV31 ORIGINAL SMD or Through Hole | FGV31.pdf | |
![]() | EXB38V512JV | EXB38V512JV PANASONIC SMD or Through Hole | EXB38V512JV.pdf | |
![]() | TL431ACDRG4 TI10+ | TL431ACDRG4 TI10+ TI SOP8 | TL431ACDRG4 TI10+.pdf | |
![]() | LLQ1J822MHSB | LLQ1J822MHSB NICHICON DIP | LLQ1J822MHSB.pdf |