창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTP5862NG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 98A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTP5862NG | |
| 관련 링크 | NTP58, NTP5862NG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F520XXCLT | 52MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520XXCLT.pdf | |
![]() | IXF18101E B0 | IXF18101E B0 INTEL BGA | IXF18101E B0.pdf | |
![]() | MWI450-17E9 | MWI450-17E9 IXYS SMD or Through Hole | MWI450-17E9.pdf | |
![]() | NRSS100M100V6.3x11F | NRSS100M100V6.3x11F NIC DIP | NRSS100M100V6.3x11F.pdf | |
![]() | 1N906 | 1N906 ON LL34 | 1N906.pdf | |
![]() | 1N4730(1W3.9V) | 1N4730(1W3.9V) ST DO-41 | 1N4730(1W3.9V).pdf | |
![]() | TGA4046 | TGA4046 Triquint SMD or Through Hole | TGA4046.pdf | |
![]() | CS4237BKQ | CS4237BKQ CRYSTAL SMD or Through Hole | CS4237BKQ.pdf | |
![]() | DF-UG-21 | DF-UG-21 DATAFAB SMD or Through Hole | DF-UG-21.pdf | |
![]() | PM3390-BCGP | PM3390-BCGP PMC BGA352 | PM3390-BCGP.pdf | |
![]() | PM1000-2AA3EXJ | PM1000-2AA3EXJ QUALCOMM BGA | PM1000-2AA3EXJ.pdf |