창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMS5P02R2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMS5P02R2 | |
PCN 설계/사양 | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.95A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 5.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 790mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTMS5P02R2GOS NTMS5P02R2GOS-ND NTMS5P02R2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMS5P02R2G | |
관련 링크 | NTMS5P, NTMS5P02R2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ECH-U1104GC9 | 0.1µF Film Capacitor 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 2820 (7150 Metric) 0.280" L x 0.197" W (7.10mm x 5.00mm) | ECH-U1104GC9.pdf | |
![]() | FN2500180 | 25.002MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | FN2500180.pdf | |
784774006 | 600nH Unshielded Wirewound Inductor 8.2A 18 mOhm Max Nonstandard | 784774006.pdf | ||
![]() | T90N5D12-5 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 5VDC Coil Through Hole | T90N5D12-5.pdf | |
![]() | CEB4050AL | CEB4050AL CET TO | CEB4050AL.pdf | |
![]() | MSCDRI-104R-4R1M | MSCDRI-104R-4R1M MAGLAYER SMD | MSCDRI-104R-4R1M.pdf | |
![]() | PAN55 | PAN55 PMI CAN | PAN55.pdf | |
![]() | 342AL | 342AL TELEDYNE CDIP | 342AL.pdf | |
![]() | SRBV181004 | SRBV181004 ALPS SMD or Through Hole | SRBV181004.pdf | |
![]() | 215R6WBSA13 | 215R6WBSA13 ATI BGA | 215R6WBSA13.pdf | |
![]() | PPR-2 | PPR-2 RIC SMD or Through Hole | PPR-2.pdf | |
![]() | OPA2335AIDGKRG4 | OPA2335AIDGKRG4 TI MSOP-8 | OPA2335AIDGKRG4.pdf |