창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMS4920NR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMS4920N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4068pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 820mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTMS4920NR2G-ND NTMS4920NR2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMS4920NR2G | |
관련 링크 | NTMS492, NTMS4920NR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
G6S-2G-10DC24 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6S-2G-10DC24.pdf | ||
AEMWU-XXYY | AEMWU-XXYY AOT SMD | AEMWU-XXYY.pdf | ||
LBC2016-T1R5MK | LBC2016-T1R5MK TAIYO SMD | LBC2016-T1R5MK.pdf | ||
FXO-HC736-11.184T | FXO-HC736-11.184T FOX SMD or Through Hole | FXO-HC736-11.184T.pdf | ||
J2102M3FZ5US7LE | J2102M3FZ5US7LE JEC SMD or Through Hole | J2102M3FZ5US7LE.pdf | ||
EHHD020A0F41Z | EHHD020A0F41Z LineagePower SMD or Through Hole | EHHD020A0F41Z.pdf | ||
ELLA500ELL331MJ20S | ELLA500ELL331MJ20S NIPPONCHEMI-COM DIP | ELLA500ELL331MJ20S.pdf | ||
400V82UF 18*30 | 400V82UF 18*30 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V82UF 18*30.pdf | ||
SG-636PCE-32.00MHZ | SG-636PCE-32.00MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG-636PCE-32.00MHZ.pdf | ||
RN739F T106 | RN739F T106 ROHM SOT-323 | RN739F T106.pdf | ||
10MXC33000M35X30 | 10MXC33000M35X30 RUBYCON DIP | 10MXC33000M35X30.pdf |