창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMS4916NR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMS4916N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1376pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMS4916NR2G | |
관련 링크 | NTMS491, NTMS4916NR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM1887U2A8R6DZ01D | 8.6pF 100V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U2A8R6DZ01D.pdf | ||
4426-1RC | 2.5nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 4426-1RC.pdf | ||
RC1005F6192CS | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F6192CS.pdf | ||
KRL1220E-M-R007-G-T5 | RES SMD 0.007 OHM 2% 1/2W 0805 | KRL1220E-M-R007-G-T5.pdf | ||
RC0201DR-07348RL | RES SMD 348 OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-07348RL.pdf | ||
AT0805DRE0726R1L | RES SMD 26.1 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0726R1L.pdf | ||
1N3869 | 1N3869 ORIGINAL DIP | 1N3869.pdf | ||
MAX527CPA | MAX527CPA ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX527CPA.pdf | ||
11305-20-TUBE | 11305-20-TUBE Anaron SMD or Through Hole | 11305-20-TUBE.pdf | ||
M62AW256ML70ND6 | M62AW256ML70ND6 SAMSUNG TSOP | M62AW256ML70ND6.pdf | ||
ABN2B-G | ABN2B-G IDEC SMD or Through Hole | ABN2B-G.pdf | ||
K4D26323BK-VC40 | K4D26323BK-VC40 SAMSUNG BGA | K4D26323BK-VC40.pdf |