창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMS4503NSR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 2,500 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMS4503NSR2G | |
관련 링크 | NTMS450, NTMS4503NSR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445I25J30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 9pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25J30M00000.pdf | |
![]() | HY29F400TT-45I | HY29F400TT-45I HY TSOP | HY29F400TT-45I.pdf | |
![]() | SCB2675BC5N40 | SCB2675BC5N40 PHILIPS DIP40 | SCB2675BC5N40.pdf | |
![]() | XC61CC1202MR | XC61CC1202MR TOREX SOT23-3 | XC61CC1202MR.pdf | |
![]() | 1SS181 A1P | 1SS181 A1P TOSHIBA SOT-23 | 1SS181 A1P.pdf | |
![]() | M602LFXI | M602LFXI Cypress NA | M602LFXI.pdf | |
![]() | HT-170SR | HT-170SR HT SMD or Through Hole | HT-170SR.pdf | |
![]() | LT3011EMSE#PBF | LT3011EMSE#PBF LINEAR MSOP-12 | LT3011EMSE#PBF.pdf | |
![]() | TLP621-2GB(F) | TLP621-2GB(F) TOSHIBA SOP-8 | TLP621-2GB(F).pdf | |
![]() | SRM20256M12 | SRM20256M12 EPN SOP | SRM20256M12.pdf | |
![]() | PHE450TD5120JR06L2 | PHE450TD5120JR06L2 RIFA SMD or Through Hole | PHE450TD5120JR06L2.pdf |