창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C673NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS5C673NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.2m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS5C673NLT1G-ND NTMFS5C673NLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C673NLT1G | |
관련 링크 | NTMFS5C67, NTMFS5C673NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC236826124 | 0.12µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.169" W (12.50mm x 4.30mm) | BFC236826124.pdf | ||
P6KE56C-B | TVS DIODE 47.8VWM 80.85VC AXIAL | P6KE56C-B.pdf | ||
MLG0603S15NJT000 | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.1 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S15NJT000.pdf | ||
RNF14GTD3K60 | RES 3.6K OHM 1/4W 2% AXIAL | RNF14GTD3K60.pdf | ||
C5590 | C5590 EXAR SOP16S | C5590.pdf | ||
3528RGB | 3528RGB ORIGINAL SMD or Through Hole | 3528RGB.pdf | ||
39-00-0433 | 39-00-0433 MOLEX SMD or Through Hole | 39-00-0433.pdf | ||
XR084CP | XR084CP EXAR DIP14 | XR084CP.pdf | ||
HB66128321B-7 | HB66128321B-7 HIT SMD or Through Hole | HB66128321B-7.pdf | ||
LTC1517CS5-5#TRMPBF | LTC1517CS5-5#TRMPBF LINEAR TSOT23-5 | LTC1517CS5-5#TRMPBF.pdf | ||
C2012X7R1H303KT | C2012X7R1H303KT TDK SMD or Through Hole | C2012X7R1H303KT.pdf |