창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C646NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS5C646NL | |
주요제품 | High Efficiency, 60 V, Single N-Channel MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2164pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS5C646NLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C646NLT1G | |
관련 링크 | NTMFS5C64, NTMFS5C646NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | BFC237537162 | 1600pF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237537162.pdf | |
![]() | DSH36569KCH11AQC | DSH36569KCH11AQC DSP QFP | DSH36569KCH11AQC.pdf | |
![]() | 55081214400 | 55081214400 SUMIDA 0805(2012)5508 | 55081214400.pdf | |
![]() | K4H511638D-UC/LCC | K4H511638D-UC/LCC Samsung SMD | K4H511638D-UC/LCC.pdf | |
![]() | ELS-1005SURWA/S530-A3 | ELS-1005SURWA/S530-A3 EVERLIGHT ROHS | ELS-1005SURWA/S530-A3.pdf | |
![]() | MBCG47323-112PMT-G | MBCG47323-112PMT-G FUJITSU QFP208 | MBCG47323-112PMT-G.pdf | |
![]() | K6X1008T2D-BB85 | K6X1008T2D-BB85 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X1008T2D-BB85.pdf | |
![]() | SCI-A19631-9 | SCI-A19631-9 ORIGINAL DIP | SCI-A19631-9.pdf | |
![]() | AN3267K | AN3267K MAT DIP30 | AN3267K.pdf | |
![]() | BStN4753F | BStN4753F SIEMENS SMD or Through Hole | BStN4753F.pdf | |
![]() | TC518128AP-10 | TC518128AP-10 TOSHIBA DIP | TC518128AP-10.pdf |