창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C628NLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C628NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 135µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS5C628NLT1G-ND NTMFS5C628NLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C628NLT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C62, NTMFS5C628NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | CTX25-2P-R | Unshielded 2 Coil Inductor Array 99.14µH Inductance - Connected in Series 24.79µH Inductance - Connected in Parallel 109 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.4A Nonstandard | CTX25-2P-R.pdf | |
![]() | R1140Q331B-TR-FA | R1140Q331B-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R1140Q331B-TR-FA.pdf | |
![]() | HSMS2825 | HSMS2825 AGI/HEW SMD or Through Hole | HSMS2825.pdf | |
![]() | T7AC7G-120 | T7AC7G-120 TDA SMD or Through Hole | T7AC7G-120.pdf | |
![]() | AMC1204DWR | AMC1204DWR TI SOP16 | AMC1204DWR.pdf | |
![]() | ZC430797MFN | ZC430797MFN MOT PLCC52 | ZC430797MFN.pdf | |
![]() | S1613B-24.5760 | S1613B-24.5760 SARONIX SMD or Through Hole | S1613B-24.5760.pdf | |
![]() | RC1206JR-10820RL | RC1206JR-10820RL YAGEO Call | RC1206JR-10820RL.pdf | |
![]() | WL2D107M16025BB159 | WL2D107M16025BB159 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2D107M16025BB159.pdf |