창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C468NLT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS5C468NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C468NLT3G | |
관련 링크 | NTMFS5C46, NTMFS5C468NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
BAS116,215 | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | BAS116,215.pdf | ||
LPC4045TE220K | LPC4045TE220K KOA SMD or Through Hole | LPC4045TE220K.pdf | ||
104JT-100 | 104JT-100 SEMITEC dip | 104JT-100.pdf | ||
TCM1608G-900-4P-T2 | TCM1608G-900-4P-T2 TDK 4-line | TCM1608G-900-4P-T2.pdf | ||
R711R2H6 | R711R2H6 ADI QFP | R711R2H6.pdf | ||
EBLS1608-R12K | EBLS1608-R12K ORIGINAL SMD or Through Hole | EBLS1608-R12K.pdf | ||
504492F | 504492F ORIGINAL SMD or Through Hole | 504492F.pdf | ||
SNJ54AHCT573W | SNJ54AHCT573W ORIGINAL SMD or Through Hole | SNJ54AHCT573W.pdf | ||
372982C | 372982C JDSUNIPHASE SMD or Through Hole | 372982C.pdf | ||
SNA-186a | SNA-186a mini SMD or Through Hole | SNA-186a.pdf | ||
MPC648D | MPC648D NEC DIP20 | MPC648D.pdf | ||
ITC5911 | ITC5911 ORIGINAL CAN | ITC5911.pdf |