창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C460NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS5C460NL | |
주요제품 | NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS5C460NLT1G-ND NTMFS5C460NLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C460NLT1G | |
관련 링크 | NTMFS5C46, NTMFS5C460NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 0232008.MXP | FUSE GLASS 8A 250VAC 5X20MM | 0232008.MXP.pdf | |
![]() | YQS5868PTF | THERMISTOR PTC STANDARD +/-30% | YQS5868PTF.pdf | |
![]() | RC0402JR-073K6L | RES SMD 3.6K OHM 5% 1/16W 0402 | RC0402JR-073K6L.pdf | |
![]() | LT3652IDD#PBF | LT3652IDD#PBF LT QFN | LT3652IDD#PBF.pdf | |
![]() | LM5064EVK/NOPB | LM5064EVK/NOPB NationalSemiconductorTI SMD or Through Hole | LM5064EVK/NOPB.pdf | |
![]() | 82865PE | 82865PE INTEL BGA | 82865PE.pdf | |
![]() | RM4191D/883 | RM4191D/883 RAYTHEON CDIP8 | RM4191D/883.pdf | |
![]() | MC26LS32ACN | MC26LS32ACN TI DIP16 | MC26LS32ACN.pdf | |
![]() | MB90F897PMCR-G-TE1 | MB90F897PMCR-G-TE1 FME SMD or Through Hole | MB90F897PMCR-G-TE1.pdf | |
![]() | EA1030C2(E05) | EA1030C2(E05) ORIGINAL SMD or Through Hole | EA1030C2(E05).pdf | |
![]() | 3505-8016 | 3505-8016 M SMD or Through Hole | 3505-8016.pdf | |
![]() | G849 | G849 HDZH SOP16 | G849.pdf |