창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C442NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C442NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta), 121A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C442NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C44, NTMFS5C442NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CDV19FF181JO3F | 180pF Mica Capacitor 1000V (1kV) Radial 0.642" L x 0.189" W (16.30mm x 4.80mm) | CDV19FF181JO3F.pdf | |
![]() | TNPW1210634RBETA | RES SMD 634 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210634RBETA.pdf | |
| 744C043470JP | RES ARRAY 2 RES 47 OHM 1210 | 744C043470JP.pdf | ||
![]() | EKS00AA110L00K | EKS00AA110L00K VISHAY DIP | EKS00AA110L00K.pdf | |
![]() | FDB4030L | FDB4030L FAIRCHILD SOT-263 | FDB4030L.pdf | |
![]() | DF37B-24DP- | DF37B-24DP- HRS SMD or Through Hole | DF37B-24DP-.pdf | |
![]() | CAT5115RI-50 | CAT5115RI-50 CATALYST MSOP-8 | CAT5115RI-50.pdf | |
![]() | MAX742CWPT | MAX742CWPT MAXIM SMD or Through Hole | MAX742CWPT.pdf | |
![]() | M51648L | M51648L MITSUBIS DIP | M51648L.pdf | |
![]() | PL8200NL | PL8200NL PULSE SMD or Through Hole | PL8200NL.pdf | |
![]() | EKA00AA210H00K | EKA00AA210H00K VISHAY DIP | EKA00AA210H00K.pdf | |
![]() | K7K3236T2C-EC40000 | K7K3236T2C-EC40000 SAMSUNG BGA165 | K7K3236T2C-EC40000.pdf |