창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H01NFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4H01NF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Ta), 334A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5538pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4H01NFT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4H0, NTMFS4H01NFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237055102 | 1000pF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237055102.pdf | |
![]() | BZX84C16-E3-18 | DIODE ZENER 16V 300MW SOT23-3 | BZX84C16-E3-18.pdf | |
![]() | Y16252K49000Q0W | RES SMD 2.49KOHM 0.02% 0.3W 1206 | Y16252K49000Q0W.pdf | |
![]() | Y16261K50000T0R | RES SMD 1.5K OHM 0.01% 0.3W 1506 | Y16261K50000T0R.pdf | |
![]() | TNPW25124K87BEEG | RES SMD 4.87K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25124K87BEEG.pdf | |
![]() | 3SK38 | 3SK38 TOSHIBA CAN | 3SK38.pdf | |
![]() | BT630KP | BT630KP ORIGINAL DIP | BT630KP.pdf | |
![]() | LTAJB TEL:82766440 | LTAJB TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTAJB TEL:82766440.pdf | |
![]() | SI7898DP-T1-E1 | SI7898DP-T1-E1 VIAHAY SO-8 | SI7898DP-T1-E1.pdf | |
![]() | YST0901E 3-5M | YST0901E 3-5M ORIGINAL SMD or Through Hole | YST0901E 3-5M.pdf | |
![]() | TL494CDRG | TL494CDRG TI SOP16 | TL494CDRG.pdf |