창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H01NFT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4H01NF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Ta), 334A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5538pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4H01NFT1G | |
관련 링크 | NTMFS4H0, NTMFS4H01NFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D361FLBAT | 360pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361FLBAT.pdf | |
![]() | UPL1H101MPH1TA | UPL1H101MPH1TA NICH SMD or Through Hole | UPL1H101MPH1TA.pdf | |
![]() | NSCW310T(A0Q) | NSCW310T(A0Q) NICHIA SMD or Through Hole | NSCW310T(A0Q).pdf | |
![]() | HD6417751K-BP200 | HD6417751K-BP200 ORIGINAL SOP8 | HD6417751K-BP200.pdf | |
![]() | RC2420S | RC2420S ORIGINAL SOP | RC2420S.pdf | |
![]() | UA105AMH | UA105AMH SFC CAN | UA105AMH.pdf | |
![]() | CY27H01045WC | CY27H01045WC Cypress SMD or Through Hole | CY27H01045WC.pdf | |
![]() | HCF4067M | HCF4067M ST SMD or Through Hole | HCF4067M.pdf | |
![]() | AD1717 | AD1717 AD SOP | AD1717.pdf | |
![]() | MAX1818EUT33#T | MAX1818EUT33#T MAX SOT-23-6 | MAX1818EUT33#T.pdf | |
![]() | NCP803SN263T1G(XHZ) | NCP803SN263T1G(XHZ) ON SOT23 | NCP803SN263T1G(XHZ).pdf | |
![]() | DS-X9-331-A1(O) | DS-X9-331-A1(O) GBM SMD or Through Hole | DS-X9-331-A1(O).pdf |