ON Semiconductor NTMFS4H013NFT1G

NTMFS4H013NFT1G
제조업체 부품 번호
NTMFS4H013NFT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
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내부 부품 번호EIS-NTMFS4H013NFT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTMFS4H013NF
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C43A(Ta), 269A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs0.9 m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3923pF @ 12V
전력 - 최대2.7W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NTMFS4H013NFT1G
관련 링크NTMFS4H01, NTMFS4H013NFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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