창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C55NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C55N | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.9A(Ta), 78A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 770mW | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C55NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C55NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32923C3824K | 0.82µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial | B32923C3824K.pdf | |
![]() | Y11212K00000A9L | RES SMD 2K OHM 0.05% 1/4W J LEAD | Y11212K00000A9L.pdf | |
![]() | CX24109-11Z,557 | CX24109-11Z,557 NXP SOT545 | CX24109-11Z,557.pdf | |
![]() | NPR2TTE120J | NPR2TTE120J ORIGINAL SMD or Through Hole | NPR2TTE120J.pdf | |
![]() | LCD08C | LCD08C CYPRESS DIP-16L | LCD08C.pdf | |
![]() | 737891-2 | 737891-2 Tyco SMD or Through Hole | 737891-2.pdf | |
![]() | SiP21102DR-26-E3 TEL:82766440 | SiP21102DR-26-E3 TEL:82766440 VISHAY SMD or Through Hole | SiP21102DR-26-E3 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 35v100000uf | 35v100000uf ORIGINAL 75x105 | 35v100000uf.pdf | |
![]() | T8533MLDT | T8533MLDT LUCENT SMD or Through Hole | T8533MLDT.pdf | |
![]() | RD24LT1 | RD24LT1 NEC SMD or Through Hole | RD24LT1.pdf | |
![]() | 2SD387 | 2SD387 SAY TO-220 | 2SD387.pdf |