창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C55NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C55N | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.9A(Ta), 78A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 770mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS4C55NT1G-ND NTMFS4C55NT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C55NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C55NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1206Y1000823KST | 0.082µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206Y1000823KST.pdf | |
![]() | AD6020AN | AD6020AN AD DIP | AD6020AN.pdf | |
![]() | MD27C512-25/5962-8764803XA | MD27C512-25/5962-8764803XA INTEL DIP | MD27C512-25/5962-8764803XA.pdf | |
![]() | X24164SE | X24164SE XICOR SO-8 | X24164SE.pdf | |
![]() | 5032BMPX | 5032BMPX FAIRCHILD MLP-40 | 5032BMPX.pdf | |
![]() | 2SD1745 | 2SD1745 ORIGINAL TO-252 | 2SD1745.pdf | |
![]() | JM38510/30701BFA | JM38510/30701BFA MOT SOP | JM38510/30701BFA.pdf | |
![]() | MV15 | MV15 ORIGINAL SIP-10 | MV15.pdf | |
![]() | 8602GN | 8602GN ORIGINAL SOP | 8602GN.pdf | |
![]() | K4D64163F-TC50 | K4D64163F-TC50 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D64163F-TC50.pdf | |
![]() | NSRLL30T1G | NSRLL30T1G ON SOD-523 | NSRLL30T1G.pdf |