창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C290NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4C290N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta), 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.95m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 987pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C290NT1G | |
관련 링크 | NTMFS4C2, NTMFS4C290NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM1886T1H2R8CD01D | 2.8pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H2R8CD01D.pdf | ||
595D226X06R3B2T | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1611 (4028 Metric) 570 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 595D226X06R3B2T.pdf | ||
1200D3BGU481-FUM | 1200D3BGU481-FUM AMD Call | 1200D3BGU481-FUM.pdf | ||
TX1N4102 | TX1N4102 MICROSEMI SMD | TX1N4102.pdf | ||
CD74HC280MT | CD74HC280MT ORIGINAL SOIC(14 | CD74HC280MT.pdf | ||
S3F8274XZZ-C0C4 | S3F8274XZZ-C0C4 SAMSUNG DICE | S3F8274XZZ-C0C4.pdf | ||
SMBCJ90A | SMBCJ90A VISHAY/DIODES DO-214AB | SMBCJ90A.pdf | ||
K1322M-AGR19K180EF | K1322M-AGR19K180EF HP SMD or Through Hole | K1322M-AGR19K180EF.pdf | ||
1812-225000100V | 1812-225000100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-225000100V.pdf | ||
A3131903-1,80063S | A3131903-1,80063S SILICONIX CDIP-16 | A3131903-1,80063S.pdf | ||
2N449A | 2N449A MOTOROLA CAN3 | 2N449A.pdf | ||
PI7C9X110 | PI7C9X110 PERICOM BGA160 | PI7C9X110.pdf |