창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C290NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C290N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta), 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.95m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 987pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C290NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C2, NTMFS4C290NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| -10.jpg) | CL10C1R8CB8NNND | 1.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C1R8CB8NNND.pdf | |
|  | ERJ-S1DF5603U | RES SMD 560K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF5603U.pdf | |
| .jpg) | AT1206CRD07680RL | RES SMD 680 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07680RL.pdf | |
|  | 1AB014330011 | 1AB014330011 ALPS SMD | 1AB014330011.pdf | |
|  | RKC4BD332J | RKC4BD332J KOA SMD or Through Hole | RKC4BD332J.pdf | |
|  | P03ABVT244A | P03ABVT244A ORIGINAL SOP | P03ABVT244A.pdf | |
|  | ICM7555IPA.G002 | ICM7555IPA.G002 MaximIntegratedProducts Tube | ICM7555IPA.G002.pdf | |
|  | TMS 320C25GBA | TMS 320C25GBA BZD DIP | TMS 320C25GBA.pdf | |
|  | MB89502P-101-G-SH | MB89502P-101-G-SH FUJITSU N A | MB89502P-101-G-SH.pdf | |
|  | LT5503EFETRPBF | LT5503EFETRPBF LT TSSOP | LT5503EFETRPBF.pdf | |
|  | STE100PB1 | STE100PB1 ST QFP64 | STE100PB1.pdf | |
|  | GS105-470 | GS105-470 ICE NA | GS105-470.pdf |