창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C290NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C290N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta), 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.95m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 987pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C290NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C2, NTMFS4C290NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 860021375011 | 10µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 860021375011.pdf | |
![]() | F80800016 | 8MHz ±50ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | F80800016.pdf | |
![]() | HS033 | PM HEAT SINK 0.35C/W 1 2 OR 3 SS | HS033.pdf | |
![]() | PR03000207500JAC00 | RES 750 OHM 3W 5% AXIAL | PR03000207500JAC00.pdf | |
![]() | PMB7805E | PMB7805E INFINEON BGA | PMB7805E.pdf | |
![]() | EL1506IREZ | EL1506IREZ Intersil TSSOP28 | EL1506IREZ.pdf | |
![]() | HFBR-4663 | HFBR-4663 HP PLCC28 | HFBR-4663.pdf | |
![]() | 10A80C | 10A80C ORIGINAL TO-220AB | 10A80C.pdf | |
![]() | FSCM-947M50-B260-U | FSCM-947M50-B260-U FUJISTU SMD or Through Hole | FSCM-947M50-B260-U.pdf | |
![]() | UNAT-10-N | UNAT-10-N MINI SMD or Through Hole | UNAT-10-N.pdf | |
![]() | DM70L00W/883 | DM70L00W/883 NationalSemiconductor SMD or Through Hole | DM70L00W/883.pdf | |
![]() | CI201210-R22J | CI201210-R22J BOURNS SMD | CI201210-R22J.pdf |