창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C13NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C13N | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 18/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta), 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C13NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C13NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LA100P1504 | FUSE CARTRIDGE 150A 1KVAC/750VDC | LA100P1504.pdf | |
![]() | 7A25000067 | 25MHz ±20ppm 수정 20pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A25000067.pdf | |
![]() | LLC450JR-0R005 | RES 0.005 OHM 4.5W 5% AXIAL | LLC450JR-0R005.pdf | |
| EQ-34-PN-J | SENSOR PHOTO PNP .2-2M 10-30VDC | EQ-34-PN-J.pdf | ||
![]() | EP4SGX70HF35I4N | EP4SGX70HF35I4N ALTERA SMD or Through Hole | EP4SGX70HF35I4N.pdf | |
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![]() | 2SC6054GR8S0+ | 2SC6054GR8S0+ Panasonic SOT-523 | 2SC6054GR8S0+.pdf | |
![]() | B25667B4417A365 | B25667B4417A365 EPCOS SMD or Through Hole | B25667B4417A365.pdf | |
![]() | RCC-NB5535-P03 | RCC-NB5535-P03 ServerWorks TBGA | RCC-NB5535-P03.pdf | |
![]() | TGA2803-SM-T/R | TGA2803-SM-T/R TriquintSemiconductorInc 20-QFN | TGA2803-SM-T/R.pdf | |
![]() | 02736W894-51D-6 | 02736W894-51D-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 02736W894-51D-6.pdf |