창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C10NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4C10N | |
PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 Wafer Fab Site Addition 18/Jun/2015 Site Chg 18/Dec/2015 Assembly/Test Site Add 21/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.95m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 987pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4C10NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C10NT1G | |
관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C10NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TNPW25123K74BETG | RES SMD 3.74K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25123K74BETG.pdf | |
![]() | GE85T03 | GE85T03 GTM TO-220 | GE85T03.pdf | |
![]() | CASR50-NPKIT 3P | CASR50-NPKIT 3P LEM SMD or Through Hole | CASR50-NPKIT 3P.pdf | |
![]() | TMPZ84C43F | TMPZ84C43F TOS N A | TMPZ84C43F.pdf | |
![]() | YP-PAR30-19-1W7 | YP-PAR30-19-1W7 YUEPU SMD or Through Hole | YP-PAR30-19-1W7.pdf | |
![]() | BT829AKRF | BT829AKRF CONEXANT QFP | BT829AKRF.pdf | |
![]() | FM20FF-157 | FM20FF-157 Foxlink SMD or Through Hole | FM20FF-157.pdf | |
![]() | HG2EM013 | HG2EM013 FUJITSU NULL | HG2EM013.pdf | |
![]() | LP3931ISQX/NOPB | LP3931ISQX/NOPB NS SMD or Through Hole | LP3931ISQX/NOPB.pdf | |
![]() | BG301-02-A-0540-L-B | BG301-02-A-0540-L-B GCT SMD or Through Hole | BG301-02-A-0540-L-B.pdf | |
![]() | IFN40 | IFN40 MBM SMD | IFN40.pdf | |
![]() | FR500AX20 | FR500AX20 MITSUBISHI Module | FR500AX20.pdf |