창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C06NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C06N | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 69A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1683pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 770mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C06NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C06NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MDA-V-3/4-R | FUSE CERM 750MA 250VAC 3AB 3AG | MDA-V-3/4-R.pdf | |
![]() | 4310H-104-181/391L | RES NTWRK 16 RES MULT OHM 10SIP | 4310H-104-181/391L.pdf | |
![]() | HM62W16255CLTT10 | HM62W16255CLTT10 HITACHI TSOP | HM62W16255CLTT10.pdf | |
![]() | LT121I5CS8 | LT121I5CS8 LT SOP | LT121I5CS8.pdf | |
![]() | TCS2165-C28 | TCS2165-C28 TCS SOT23 | TCS2165-C28.pdf | |
![]() | 4N25S-V | 4N25S-V LITE-ON SMD or Through Hole | 4N25S-V.pdf | |
![]() | ICS954128AFLF-T | ICS954128AFLF-T ICS SMD or Through Hole | ICS954128AFLF-T.pdf | |
![]() | SN74ALS640N | SN74ALS640N TI DIP20 | SN74ALS640N.pdf | |
![]() | HYS72T512920EFA-3S-C | HYS72T512920EFA-3S-C ORIGINAL SMD or Through Hole | HYS72T512920EFA-3S-C.pdf | |
![]() | O7TI | O7TI TI TSSOP | O7TI.pdf | |
![]() | IS204SMTR | IS204SMTR ISOCOM DIPSOP | IS204SMTR.pdf |