창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4946NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4946N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.7A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(11.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 890mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS4946NT1G-ND NTMFS4946NT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4946NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4946NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RE1206DRE0726R7L | RES SMD 26.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0726R7L.pdf | |
![]() | MBB02070C2213FRP00 | RES 221K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2213FRP00.pdf | |
![]() | DK2907 | DK2907 DK SOP14 | DK2907.pdf | |
![]() | 1N5226B.TA | 1N5226B.TA FSC SMD or Through Hole | 1N5226B.TA.pdf | |
![]() | LM4040CIM3X-10(R0C) | LM4040CIM3X-10(R0C) NS SOT233 | LM4040CIM3X-10(R0C).pdf | |
![]() | KM416S4030CT-FH | KM416S4030CT-FH Samsung Bag | KM416S4030CT-FH.pdf | |
![]() | STM4170MK2 | STM4170MK2 SANYO HYB-19 | STM4170MK2.pdf | |
![]() | SEMH13 | SEMH13 INFINEON SOT666 | SEMH13.pdf | |
![]() | DF11Z-12DP-2V(21) | DF11Z-12DP-2V(21) HRS SMD or Through Hole | DF11Z-12DP-2V(21).pdf | |
![]() | 4RV20U05NR250R101 | 4RV20U05NR250R101 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4RV20U05NR250R101.pdf | |
![]() | N8T26AF | N8T26AF S CDIP | N8T26AF.pdf | |
![]() | E28F008ESA | E28F008ESA ORIGINAL TSOP | E28F008ESA.pdf |