창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4936NCT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4936N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.6A(Ta), 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3044pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 920mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4936NCT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS493, NTMFS4936NCT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CBR02C120G3GAC | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C120G3GAC.pdf | |
![]() | DSC1001CE1-125.0000T | 125MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001CE1-125.0000T.pdf | |
![]() | MLG0603Q22NJ | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.2 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603Q22NJ.pdf | |
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![]() | 475CKE250MGM | 475CKE250MGM ILLINOIS DIP | 475CKE250MGM.pdf | |
![]() | P1252.222T | P1252.222T PULSE SMD or Through Hole | P1252.222T.pdf | |
![]() | LA79510M. | LA79510M. SANYO QFP | LA79510M..pdf | |
![]() | EXO-3C24.57600MHZ | EXO-3C24.57600MHZ KSS SMD or Through Hole | EXO-3C24.57600MHZ.pdf | |
![]() | MAX1632AEAI | MAX1632AEAI MAXIM SMD or Through Hole | MAX1632AEAI.pdf | |
![]() | T350G156K025AT7301 | T350G156K025AT7301 KEMET DIP | T350G156K025AT7301.pdf | |
![]() | 064C94B318 | 064C94B318 ST SOIC-14 | 064C94B318.pdf | |
![]() | ZOV-14D470K | ZOV-14D470K ZOV SMD or Through Hole | ZOV-14D470K.pdf |