창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4935NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4935N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 93A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 930mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4935NT3G | |
관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4935NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CP00207R500JE14 | RES 7.5 OHM 20W 5% AXIAL | CP00207R500JE14.pdf | |
![]() | SC88881CDWR2 | SC88881CDWR2 ORIGINAL SOP | SC88881CDWR2.pdf | |
![]() | K4T56163QI-ZCD5 | K4T56163QI-ZCD5 SAMSUNG 84FBGA | K4T56163QI-ZCD5.pdf | |
![]() | P83C652FBP522 | P83C652FBP522 PHILIPS DIP | P83C652FBP522.pdf | |
![]() | CXD4000R | CXD4000R SONY TQFP-120 | CXD4000R.pdf | |
![]() | 74AHC123APW,118 | 74AHC123APW,118 NXPSEMI SMD or Through Hole | 74AHC123APW,118.pdf | |
![]() | PCF7432 | PCF7432 ST DIP14 | PCF7432.pdf | |
![]() | AT89LS825212JI | AT89LS825212JI ATMEL PLCC44 | AT89LS825212JI.pdf | |
![]() | 3448-44 | 3448-44 CATALYST SMD or Through Hole | 3448-44.pdf | |
![]() | IRFSL66N20 | IRFSL66N20 IR TO-262 | IRFSL66N20.pdf |