창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4935NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4935N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 93A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 930mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4935NT1G-ND NTMFS4935NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4935NT1G | |
관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4935NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | PS0040BE10238AP1 | 1000pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 N2200 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 1.772" Dia(45.00mm) | PS0040BE10238AP1.pdf | |
4TPE220MF | 220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 15 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 4TPE220MF.pdf | ||
![]() | ERJ-12SF3321U | RES SMD 3.32K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF3321U.pdf | |
![]() | TNPW1210232RBEEA | RES SMD 232 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210232RBEEA.pdf | |
![]() | SCT-W06S28-020A-H | SCT-W06S28-020A-H ORIGINAL SMD or Through Hole | SCT-W06S28-020A-H.pdf | |
![]() | BA5901K.. | BA5901K.. ROHM QFP44 | BA5901K...pdf | |
![]() | S29CD016JOMQFM11 | S29CD016JOMQFM11 SPANSION QFP | S29CD016JOMQFM11.pdf | |
![]() | M374714E4SP | M374714E4SP MITSUBISHI DIP42 | M374714E4SP.pdf | |
![]() | AS7C4096-12TC | AS7C4096-12TC ALLIAMCE TSOP | AS7C4096-12TC.pdf | |
![]() | RB521G-30 TR2 | RB521G-30 TR2 ROHM SMD or Through Hole | RB521G-30 TR2.pdf | |
![]() | CM1-0522300 | CM1-0522300 SHARLIGHT DIP | CM1-0522300.pdf | |
![]() | 100W7.5K | 100W7.5K TY SMD or Through Hole | 100W7.5K.pdf |