창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4935NCT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4935N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 93A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 930mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4935NCT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS493, NTMFS4935NCT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA6M3X7R2A155M200AB | 1.5µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X7R2A155M200AB.pdf | |
![]() | B37981F1222K051 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37981F1222K051.pdf | |
![]() | SHS5M110A | SS TIMR INTERVAL, 5M, 110VAC | SHS5M110A.pdf | |
![]() | ECM004-500 | ECM004-500 Eic CLCC | ECM004-500.pdf | |
![]() | PTFA080551EV1 | PTFA080551EV1 Infineon H-30265-2 | PTFA080551EV1.pdf | |
![]() | MC304 | MC304 MULTICORE SMD or Through Hole | MC304.pdf | |
![]() | MMSZ5260LT1G | MMSZ5260LT1G ON SOD123 | MMSZ5260LT1G.pdf | |
![]() | SFF4N60 | SFF4N60 SemiW TO220F | SFF4N60.pdf | |
![]() | CSTCV16.00M | CSTCV16.00M MURATA SMD or Through Hole | CSTCV16.00M.pdf | |
![]() | EKLM251VSN151MR15S | EKLM251VSN151MR15S NIPPONCHEMI-COM DIP | EKLM251VSN151MR15S.pdf | |
![]() | AT4145 | AT4145 NKKSwitches SMD or Through Hole | AT4145.pdf | |
![]() | ST92F150JDVIQC | ST92F150JDVIQC ORIGINAL QFP | ST92F150JDVIQC.pdf |