창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4927NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4927N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Ta), 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 913pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 920mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4927NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4927NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EKY-6R3ELL102MH15D | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EKY-6R3ELL102MH15D.pdf | |
![]() | C1608X5R1H474M080AB | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X5R1H474M080AB.pdf | |
| MBRT200150 | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER | MBRT200150.pdf | ||
![]() | 53642 | 53642 ORIGINAL SMD or Through Hole | 53642.pdf | |
![]() | RF2903RFMD | RF2903RFMD RFMD SSOP-24 | RF2903RFMD.pdf | |
![]() | IMD2 | IMD2 ROHM SOT163 | IMD2.pdf | |
![]() | 75C1406 | 75C1406 TI SOP | 75C1406.pdf | |
![]() | HV20420 | HV20420 N/A PLCC28 | HV20420.pdf | |
![]() | HZ9C3TA-N-E-Q | HZ9C3TA-N-E-Q RENESAS SMD or Through Hole | HZ9C3TA-N-E-Q.pdf | |
![]() | K4Q160411C-FC60 | K4Q160411C-FC60 SAMSUNG TSOP | K4Q160411C-FC60.pdf | |
![]() | SG-615P 8MHZ | SG-615P 8MHZ EPSON SMD-DIP | SG-615P 8MHZ.pdf | |
![]() | Y7942 | Y7942 INTEL SOP | Y7942.pdf |