창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4927NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4927N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Ta), 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 913pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 920mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4927NT1G-ND NTMFS4927NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4927NT1G | |
관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4927NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
RCER71H683K0DBH03A | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCER71H683K0DBH03A.pdf | ||
CMF60600R00CHRE | RES 600 OHM 1W 0.25% AXIAL | CMF60600R00CHRE.pdf | ||
E2B-M12KN05-WP-B2 5M | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2B-M12KN05-WP-B2 5M.pdf | ||
HZU5.6B3TRF-E | HZU5.6B3TRF-E renesas SOD323 | HZU5.6B3TRF-E.pdf | ||
LC4256V75T-256B-10I | LC4256V75T-256B-10I ORIGINAL BGA | LC4256V75T-256B-10I.pdf | ||
FFPF30UP20ND | FFPF30UP20ND FSC TO-220 | FFPF30UP20ND.pdf | ||
KL731ETTP15N | KL731ETTP15N KOA SMD | KL731ETTP15N.pdf | ||
145116-1 | 145116-1 AMP/TYCO AMP | 145116-1.pdf | ||
2924A-1803R | 2924A-1803R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2924A-1803R.pdf | ||
MSM6500(CP90-V3195-8 | MSM6500(CP90-V3195-8 QUALCOMM SMD or Through Hole | MSM6500(CP90-V3195-8.pdf | ||
PSB6970CHLV1.2 | PSB6970CHLV1.2 Infineon PG-LQFP-100 | PSB6970CHLV1.2.pdf | ||
MAX234EWE+ | MAX234EWE+ MAXIM SOP16 | MAX234EWE+.pdf |