창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4852NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4852N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 155A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4970pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4852NT1G-ND NTMFS4852NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4852NT1G | |
관련 링크 | NTMFS48, NTMFS4852NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 18121A272JAT2A | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121A272JAT2A.pdf | |
![]() | ECQ-E6104JFW | 0.1µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.248" W (18.50mm x 6.30mm) | ECQ-E6104JFW.pdf | |
![]() | RMCF2010FT66R5 | RES SMD 66.5 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT66R5.pdf | |
![]() | EETEE2D102CJ | EETEE2D102CJ Panasonic DIP-2 | EETEE2D102CJ.pdf | |
![]() | CD104 120 M | CD104 120 M ZTJ CD104 | CD104 120 M.pdf | |
![]() | CR80P200BN28S/BN | CR80P200BN28S/BN CR SOP28 | CR80P200BN28S/BN.pdf | |
![]() | FLR11733 | FLR11733 ORIGINAL TO-252-2 | FLR11733.pdf | |
![]() | FKP1T031007E00JYSD | FKP1T031007E00JYSD WIMA SMD or Through Hole | FKP1T031007E00JYSD.pdf | |
![]() | SMBJ2K4.0TR-13 | SMBJ2K4.0TR-13 Microsemi DO-214AA | SMBJ2K4.0TR-13.pdf | |
![]() | ECJ1VC1C105K | ECJ1VC1C105K PANASONIC SMD or Through Hole | ECJ1VC1C105K.pdf | |
![]() | RM1C478M12025BB180 | RM1C478M12025BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RM1C478M12025BB180.pdf | |
![]() | MB89283 | MB89283 FUJTTSU DIP | MB89283.pdf |