창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4841NHT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4841NH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.6A(Ta), 59A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(11.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2113pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 870mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4841NHT1G-ND NTMFS4841NHT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4841NHT1G | |
관련 링크 | NTMFS484, NTMFS4841NHT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CGA4J1X7R1C335K125AC | 3.3µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J1X7R1C335K125AC.pdf | ||
C2012NP01H223J125AA | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012NP01H223J125AA.pdf | ||
K271K10C0GF5TH5 | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K271K10C0GF5TH5.pdf | ||
30w-10R | 30w-10R ORIGINAL SMD or Through Hole | 30w-10R.pdf | ||
AI-2332-TWT-12V-R | AI-2332-TWT-12V-R PUIAUDIO/WSI SMD or Through Hole | AI-2332-TWT-12V-R.pdf | ||
TX2N3027 | TX2N3027 MICROSEMI SMD | TX2N3027.pdf | ||
AS107 | AS107 ALPHA SOP8 | AS107.pdf | ||
1AV4V10B6950G | 1AV4V10B6950G ORIGINAL SOP | 1AV4V10B6950G.pdf | ||
201S41W472MV | 201S41W472MV JOHANSON SMD or Through Hole | 201S41W472MV.pdf | ||
C1005X5R1E683K | C1005X5R1E683K ORIGINAL SMD or Through Hole | C1005X5R1E683K.pdf | ||
LU5K627 | LU5K627 SHARP QFP | LU5K627.pdf | ||
BA2902F-E2 TEL:82766440 | BA2902F-E2 TEL:82766440 ROHM SMD or Through Hole | BA2902F-E2 TEL:82766440.pdf |